發(fā)布時(shí)間： 2019-05-27 點(diǎn)擊次數(shù)： 2950次
濕法刻蝕系統(tǒng)用于先進(jìn)的無(wú)損兆聲清洗。可以適用于易受損的帶圖案或無(wú)圖案的基片，包含帶保護(hù)膜的掩模版。為了在確保不損傷基片的情況下達(dá)到優(yōu)化的清洗效果，兆聲能量的密度必須保持在稍稍低于樣片上任意位置上的損傷閾值。濕法刻蝕系統(tǒng)的技術(shù)確保了聲波能量均勻分布到整個(gè)基片表面，通過(guò)分布能量的較大化支持理想的清洗，同時(shí)保證在樣片的損傷閾值范圍內(nèi)。濕法刻蝕系統(tǒng)提供高可重復(fù)性、高均勻性及的兆聲清洗、兆聲輔助下光刻膠剝離，以及濕法刻蝕。它可以在一個(gè)工藝步驟中包含了的無(wú)損兆聲清洗、化學(xué)試劑清洗、刷子清洗以及干燥功能。
濕法刻蝕系統(tǒng)和干法刻蝕系統(tǒng)的優(yōu)缺點(diǎn)對(duì)比：
濕法刻蝕系統(tǒng)是通過(guò)化學(xué)刻蝕液和被刻蝕物質(zhì)之間的化學(xué)反應(yīng)將被刻蝕物質(zhì)剝離下來(lái)的刻蝕方法。大多數(shù)濕法刻蝕是不容易控制的各向同性刻蝕。
特點(diǎn)：適應(yīng)性強(qiáng)，表面均勻性好、對(duì)硅片損傷少，幾乎適用于所有的金屬、玻璃、塑料等材料。
缺點(diǎn)：圖形刻蝕保真想過(guò)不理想，刻蝕圖形的小線難以掌控。
濕法刻蝕系統(tǒng)的刻蝕劑是等離子體，是利用等離子體和表面薄膜反應(yīng)，形成揮發(fā)性物質(zhì)，或直接轟擊薄膜表面使之被腐蝕的工藝。
特點(diǎn)：能實(shí)現(xiàn)各向異性刻蝕，從而保證細(xì)小圖形轉(zhuǎn)移后的保真性。
缺點(diǎn)：造價(jià)高，用于微流控芯片制備的較少。
濕法刻蝕系統(tǒng)包括：用于容置電漿的腔體；設(shè)置于所述腔體上方的石英盤；設(shè)置于所述石英盤上方的多個(gè)磁體；旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，所述旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)帶動(dòng)所述多個(gè)磁體旋轉(zhuǎn)，所述多個(gè)磁體產(chǎn)生的磁場(chǎng)隨所述多個(gè)磁體的旋轉(zhuǎn)而旋轉(zhuǎn)，所述電漿處于所述磁場(chǎng)中。本發(fā)明的方案可以進(jìn)一步增加粒子的碰撞頻率，以達(dá)到優(yōu)化電漿的均勻度，也可提高電漿的濃度。
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