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AT810 經(jīng)濟(jì)性原子層沉積設(shè)備是小占地面積臺(tái)式系統(tǒng)。采用半導(dǎo)體級(jí)金屬密封管路以及兼容高溫的快速脈沖原子層沉積（ALD）閥。用于集成惰性氣體吹掃的超快速質(zhì)量流量控制器（MFC）。6 英寸圓形卡盤（最大適配 7 英寸方形），可針對更小尺寸或其他形狀（高 11 毫米）定制。

AT610 經(jīng)濟(jì)性原子層沉積設(shè)備是小占地面積臺(tái)式系統(tǒng)。采用半導(dǎo)體級(jí)金屬密封管路以及兼容高溫的快速脈沖原子層沉積（ALD）閥。用于集成惰性氣體吹掃的超快速質(zhì)量流量控制器（MFC）。6 英寸圓形卡盤（最大適配 7 英寸方形），可針對更小尺寸或其他形狀（高 11 毫米）定制。

AT 臭氧發(fā)生器采用高品質(zhì)元器件，能以極小的體型提供高濃度（最高 12%）臭氧。該系統(tǒng)無需昂貴且笨重的水冷裝置，內(nèi)置的高速風(fēng)扇即使在長時(shí)間或持續(xù)使用時(shí)，也能保持等離子體室的冷卻。可在臭氧、氧氣和關(guān)閉狀態(tài)之間進(jìn)行手動(dòng)或自動(dòng)切換。

AT650/850T 臺(tái)式熱原子層沉積設(shè)備，具備現(xiàn)場升級(jí)為等離子體模式的能力，占地面積小（38.1 厘米，寬 15 英寸），可容納直徑為 6 英寸或更小的樣品。

AT650/850P 臺(tái)式等離子原子層沉積設(shè)備，其以熱系統(tǒng)，配備新高級(jí)空心陰極源與 60 MHz RF，有低氧污染等特點(diǎn)；占地小，可容納 6 英寸及更小樣品，可選定制卡盤；有 4 個(gè)有機(jī)金屬源前驅(qū)體、多達(dá) 4 個(gè)氧化劑 / 還原劑源；具備高溫兼容快速脈沖 ALD 閥等；溫度范圍廣，靜態(tài)處理模式可獲高曝光 。